В 2 раза мощнее и на 85% экономнее: Samsung и IBM разработали революционные чипы
Компании IBM и Samsung заявляют, что им удалось совершить прорыв в разработке полупроводников, открыв новую концепцию вертикального размещения транзисторов на кристалле. Об этом сообщает издание interestingengineering.com.
Новое устройство работает на базе так называемых вертикальных транспортных полевых транзисторов (Vertical Transport Field Effect Transistors, VTFET), при этом транзисторы расположены перпендикулярно друг другу, а ток течет вертикально. Это радикально данный новый чипсет от остальных современных моделей, где транзисторы расположены горизонтально на поверхности кремния, а электрический ток течет как бы из стороны в сторону. В IBM и Samsung надеются "расширить закон Мура", выйдя за пределы порога нанолистов и при этом сделать процессоры более экономными в плане энергопотребления.
"В IBM и Samsung заявляют, что такая конструкция позволит удвоить производительность и снизить энергопотребление на 85% меньше энергии, по сравнению с чипами на транзисторах FinFET. Однако эти две фирмы — не единственные, кто тестирует данную технологию", — пишет СМИ.
Как сообщает Reuters, Intel также экспериментирует, устанавливая процессоры один над другим.
"Ставя устройства друг на друга, мы явно экономим пространство", — сказал Пол Фишер, директор и старший главный инженер отдела исследований компонентов Intel. "Мы сокращаем длину межсоединений и действительно экономим энергию и повышаем производительность".
"Такие процессоры будут весьма кстати в смартфонах, ведь тогда их можно будет не заряжать неделями. Также чипы пригодятся для энергоемких операций вроде майнинга криптовалют. Но не стоит забывать, что в таком случае мы можем столкнуться с парадоксом Джевона, который возникает, когда технический прогресс увеличивает эффективность использования ресурса, но скорость потребления этого ресурса также увеличивается из-за увеличения спроса", — предупреждают журналисты.
| Комментарии (0) |