Компьютеры заметно поумнеют: скоро будет реализована революционная память ULTRARAM

22.03.2022 в 23:49 863 0
Компьютеры заметно поумнеют: скоро будет реализована революционная память ULTRARAM
Фото: Getty Images
Новый тип памяти хорошо работает на кремниевых пластинах: ученые уверены, что они сделали большой шаг на пути к ее массовому производству.

Компьютерная память ULTRARAM, сочетающая в себе лучшие характеристики флеш-памяти, DRAM и NAND в скором времени может быть реализована на кремниевых пластинах. Об этом сообщает издание sciencedaily.com.

"ULTRARAM — это новый тип памяти с исключительными свойствами. Она сочетает в себе энергонезависимость и надежность флеш-памяти, скорость, энергоэффективность и долговечность DRAM (DRAM — вид компьютерной памяти, работающей благодаря использованию полупроводниковых материалов и имеющей доступ к данным, хранящихся в разных ячейках, — ред.)", — говорится в материале.

Благодаря сотрудничеству физического и инженерного факультетов Ланкастерского университета и физического факультета Университета Уорвик (Великобритания), новая память продемонстрировала свои возможности, будучи реализованной на кремниевых пластинах.

"ULTRARAМ на кремнии — это огромный шаг, позволяющий преодолеть очень серьезные проблемы с материалами, переходом от элементарных к составным полупроводникам, а также проблемы, возникающие при термическом сжатии", — прокомментировал профессор Манус Хейн, возглавляющий группу ученых.

Цифровая электроника, являющаяся основой всех гаджетов, от смарт-часов и смартфонов до персональных компьютеров и центров обработки данных, использует процессоры и карты памяти, изготовленные из такого полупроводника, как кремний. Во всем мире работает множество фабрик по производству микросхем, поэтому запуск нового типа компьютерной памяти не будет проблематичным, уверены исследователи.

"Примечательно, что ULTRARAM на кремнии превосходит другие типы памяти на полупроводниковых пластинах, где применяется арсенид галия (GaAs). Память на кремнии способна хранить данные не менее 1000 лет, имеет высокую скорость переключения и отличается большой "выносливостью" — количество циклов стирания-записи данных составляет не менее 10 млн, что в 100-1000 раз больше чем может выдержать флеш-память", — отмечают журналисты.

Отметим, что память ULTRARAM функционирует следующим образом: информация "помещается" в электроны, каждый из которых занимает свою ячейку. При этом каждый электрон удерживается в ячейке благодаря полупроводнику, свойства которого служат своего рода "барьерами". При помощи малого напряжения барьеры можно ослаблять, открывать, закрывать, чтобы электрон выходил из ячейки или, наоборот, входил в нее, и таким образом шифровал информацию в двоичный код — 0 и/или 1.

Теги:Компьютеры, ULTRARAM

Комментарии (0)
avatar